宽带隙半导体

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宽带隙半导体,室温下,Si的带隙为1.1eV,GaAs的带隙为1.43eV,一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体,宽带隙半导体在蓝、紫光股份和紫外光电子器件,高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

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重生62687
谢谢博主主的分享,期待更多精彩的比赛情报!
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